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三星申请半导体器件专利,提供半导体器件和包括该半导体器件的数据...金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统“公开号CN117641916A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,示例实施方式提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件可以还有呢?
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东风汽车集团申请VVT最小目标相位控制方法及装置专利,避免动力性和...金融界2023年12月14日消息,据国家知识产权局公告,东风汽车集团股份有限公司申请一项名为“一种VVT最小目标相位控制方法及装置“公开号CN117211916A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种VVT最小目标相位控制方法,步骤如下:确定基础VVT最小相位:通过等我继续说。
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阳光电源申请中高压磁性器件专利,该专利技术能提高功率密度并降低...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,阳光电源股份有限公司申请一项名为“中高压磁性器件“公开号CN117831916A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本申请涉及一种中高压磁性器件,该中高压磁性器件包括:第一磁芯、第一绕组和第二磁芯。第一绕组绝缘绕设于第是什么。
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